主要技术特点
- 多工艺兼容：支持VGF、VB、VGF-VB复合工艺，适配CdZnTe、GaSb等多种材料；
- 6区独立控温，可精确编程控制轴向与径向温度梯度，适配不同材料生长需求；
- 氧化硼液封与砷/镉蒸气压原位控制技术，有效抑制组元挥发与熔体化学计量比偏离；
- 程序退火功能，生长完成后可原位退火，显著降低晶体热应力与位错；
- 针对CdZnTe材料特殊设计低梯度温场，生长界面温度梯度可低至2℃/cm，有效抑制Te夹杂。
核心性能指标
| 参数项 | 技术指标 |
| 适用晶体
|
CdZnTe（2-4英寸） |
| 最高工作温度
|
1350℃
|
| 控温精度 |
±0.1℃
|
| 温区数量
|
6区
|
| 工作压力
|
常压（标准型）
|
| 恒温区长度 |
≥300mm |
| 位错密度 |
≤5×10⁴cm⁻²
|
| 夹杂尺寸 |
≤5μm
|
| 单晶电阻率均匀性 |
≤5%（6英寸GaAs） |
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