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About Bostar
关于铂星半导体
广东铂星半导体装备有限公司坐落于中国深圳,是一家专注于化合物半导体高端装备研发、制造与销售的高新技术企业。公司深耕化合物半导体晶体生长与晶圆处理装备领域,拥有一支由资深半导体设备专家、热场设计工程师、自动化控制专家组成的核心研发团队,致力于为全球化合物半导体产业提供高性能、高可靠性的国产化装备解决方案。
公司产品覆盖化合物半导体从材料合成、晶体生长、晶圆处理到外延生长的全工艺流程,核心产品包括磷化铟(InP)系列单晶炉多晶合成炉、氧化镓(β-Ga₂O₃)单晶炉、砷化镓(GaAs)/碲锌(CdZnTe)单晶炉、碳化硅(SiC)长晶炉、MOCVD外延设备。
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碳化硅长晶炉PVT工艺详解:温度梯度如何决定晶体质量
碳化硅 PVT 长晶本质是一场 2000℃以上的温度梯度博弈。轴向梯度控制生长速率,径向梯度塑造晶体生长界面,微小温场波动就会诱发位错、杂多型、晶裂。本文拆解 PVT 底层原理,解析温场设计对 SiC 单晶质量的影响。
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别只盯着原料提纯!晶体纯度的瓶颈藏在长晶装备里
很多研发人员提升晶体纯度,第一反应是优化原料。但量产实践表明,即便原料纯度拉满,依旧会出现氧超标、杂质偏析。真正制约高纯单晶量产的,往往是长晶环节二次污染与热场控制。本文拆解高纯晶体提质的全链路逻辑。
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LEC vs VGF:化合物半导体两大长晶工艺,到底相差在哪里?
砷化镓、磷化铟衬底两大长晶路线:LEC 液封直拉与 VGF 垂直梯度凝固。一个主打量产效率,一个主攻低位错高品质单晶。二者不存在替代关系,是产业在效率与晶体质量之间的取舍,一文读懂原理差异、适用场景与装备技术要点。
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