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覆盖第三代半导体全产业链的装备解决方案

磷化铟单晶炉
半导体晶体设备

磷化铟单晶炉

VGF法磷化铟单晶炉

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磷化铟气相多晶炉
半导体晶体设备

磷化铟气相多晶炉

InP 气相合成多晶原料设备

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摇摆多晶炉
半导体晶体设备

摇摆多晶炉

摇摆合成多晶原料设备

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卧式常压多晶炉
半导体晶体设备

卧式常压多晶炉

卧式常压多晶合成炉,适配GaAs、CdTe等多种化合物材料的多晶合成

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深圳南山 · 方大城T2栋
半导体晶圆制造
About Bostar

关于铂星半导体

广东铂星半导体装备有限公司坐落于中国深圳,是一家专注于化合物半导体高端装备研发、制造与销售的高新技术企业。公司深耕化合物半导体晶体生长与晶圆处理装备领域,拥有一支由资深半导体设备专家、热场设计工程师、自动化控制专家组成的核心研发团队,致力于为全球化合物半导体产业提供高性能、高可靠性的国产化装备解决方案。

公司产品覆盖化合物半导体从材料合成、晶体生长、晶圆处理到外延生长的全工艺流程,核心产品包括磷化铟(InP)系列单晶炉多晶合成炉、氧化镓(β-Ga₂O₃)单晶炉、砷化镓(GaAs)/碲锌(CdZnTe)单晶炉、碳化硅(SiC)长晶炉、MOCVD外延设备。

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了解铂星半导体最新资讯与行业前沿

碳化硅长晶炉PVT工艺详解:温度梯度如何决定晶体质量
2026/10/26

碳化硅长晶炉PVT工艺详解:温度梯度如何决定晶体质量

碳化硅 PVT 长晶本质是一场 2000℃以上的温度梯度博弈。轴向梯度控制生长速率,径向梯度塑造晶体生长界面,微小温场波动就会诱发位错、杂多型、晶裂。本文拆解 PVT 底层原理,解析温场设计对 SiC 单晶质量的影响。

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别只盯着原料提纯!晶体纯度的瓶颈藏在长晶装备里
2026/10/19

别只盯着原料提纯!晶体纯度的瓶颈藏在长晶装备里

很多研发人员提升晶体纯度,第一反应是优化原料。但量产实践表明,即便原料纯度拉满,依旧会出现氧超标、杂质偏析。真正制约高纯单晶量产的,往往是长晶环节二次污染与热场控制。本文拆解高纯晶体提质的全链路逻辑。

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LEC vs   VGF:化合物半导体两大长晶工艺,到底相差在哪里?
2026/10/13

LEC vs VGF:化合物半导体两大长晶工艺,到底相差在哪里?

砷化镓、磷化铟衬底两大长晶路线:LEC 液封直拉与 VGF 垂直梯度凝固。一个主打量产效率,一个主攻低位错高品质单晶。二者不存在替代关系,是产业在效率与晶体质量之间的取舍,一文读懂原理差异、适用场景与装备技术要点。

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